Vishay Semiconductor Diodes Division - UB8BT-E3/4W

KEY Part #: K6445624

UB8BT-E3/4W Preços (USD) [2044pcs Estoque]

  • 2,000 pcs$0.16052

Número da peça:
UB8BT-E3/4W
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UB8BT-E3/4W Atributos do produto

Número da peça : UB8BT-E3/4W
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.02V @ 8A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 20ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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