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GeneSiC Semiconductor - MBRT600200

KEY Part #: K6468962

MBRT600200 Preços (USD) [844pcs Estoque]

  • 1 pcs$54.94338
  • 25 pcs$38.22151
Número da peça:
MBRT600200
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRT600200 electronic components. MBRT600200 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRT600200, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRT600200 Atributos do produto

Número da peça : MBRT600200
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 300A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 300A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1mA @ 200V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
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