Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1GHE3/67A

KEY Part #: K6457446

RGF1GHE3/67A Preços (USD) [506068pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07309
  • 6,000 pcs$0.06624

Número da peça:
RGF1GHE3/67A
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 400 Volt 150ns 30 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1GHE3/67A electronic components. RGF1GHE3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1GHE3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGF1GHE3/67A Atributos do produto

Número da peça : RGF1GHE3/67A
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
Series : SUPERECTIFIER®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 400V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 150ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 400V
Capacitância @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214BA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214BA (GF1)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

Você também pode estar interessado em
  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • US1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt

  • ES2CHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2AHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2BHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • MURS120HE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD