Infineon Technologies - FF650R17IE4DPB2BOSA1

KEY Part #: K6533407

FF650R17IE4DPB2BOSA1 Preços (USD) [151pcs Estoque]

  • 1 pcs$304.26154

Número da peça:
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT MODULE VCES 1700V 650A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF650R17IE4DPB2BOSA1 Atributos do produto

Número da peça : FF650R17IE4DPB2BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT MODULE VCES 1700V 650A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : 2 Independent
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1700V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 650A
Potência - Max : -
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 650A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 54nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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