NSB8BTHE3_A/P Preços (USD) [128710pcs Estoque]
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- 1,000 pcs$0.26162
- Número da peça:
- NSB8BTHE3_A/P
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8BTHE3_A/P electronic components. NSB8BTHE3_A/P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8BTHE3_A/P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSB8BTHE3_A/P Atributos do produto
Número da peça :
NSB8BTHE3_A/P
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 8A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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