Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1DHE3/67A

KEY Part #: K6452229

RGF1DHE3/67A Preços (USD) [500114pcs Estoque]

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Número da peça:
RGF1DHE3/67A
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 200 Volt 150ns 30 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGF1DHE3/67A Atributos do produto

Número da peça : RGF1DHE3/67A
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Series : SUPERECTIFIER®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 150ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214BA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214BA (GF1)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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