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GeneSiC Semiconductor - GC10MPS12-220

KEY Part #: K6433306

GC10MPS12-220 Preços (USD) [7838pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.25755
Número da peça:
GC10MPS12-220
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 electronic components. GC10MPS12-220 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GC10MPS12-220, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC10MPS12-220 Atributos do produto

Número da peça : GC10MPS12-220
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 54A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 660pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-2
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
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