VS-2EFH02-M3/I Preços (USD) [665064pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05562
- 10,000 pcs$0.05040
- 30,000 pcs$0.04634
- Número da peça:
- VS-2EFH02-M3/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rect 2A 200V
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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VS-2EFH02-M3/I Atributos do produto
Número da peça :
VS-2EFH02-M3/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
Series :
FRED Pt®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
2A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
950mV @ 2A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
2µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
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