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ON Semiconductor - 2SK3666-4-TB-E

KEY Part #: K6521568

2SK3666-4-TB-E Preços (USD) [4789pcs Estoque]

  • 6,000 pcs$0.04290
Número da peça:
2SK3666-4-TB-E
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
JFET N-CH 30V 0.2W CP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor 2SK3666-4-TB-E electronic components. 2SK3666-4-TB-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK3666-4-TB-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SK3666-4-TB-E Atributos do produto

Número da peça : 2SK3666-4-TB-E
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : JFET N-CH 30V 0.2W CP
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) : 30V
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 2.5mA @ 10V
Dreno atual (Id) - Max : 10mA
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id : 180mV @ 1µA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4pF @ 10V
Resistência - RDS (On) : 200 Ohms
Potência - Max : 200mW
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-CP

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