FESB16DTHE3/81 Preços (USD) [68452pcs Estoque]
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- 800 pcs$0.53010
- Número da peça:
- FESB16DTHE3/81
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 16 Amp 35ns Single
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16DTHE3/81 electronic components. FESB16DTHE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16DTHE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FESB16DTHE3/81 Atributos do produto
Número da peça :
FESB16DTHE3/81
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
16A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
975mV @ 16A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
175pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 150°C
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