Toshiba Semiconductor and Storage - 2SA965-O,F(J

KEY Part #: K6381903

[9840pcs Estoque]


    Número da peça:
    2SA965-O,F(J
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    TRANS PNP 800MA 120V TO226-3.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O,F(J electronic components. 2SA965-O,F(J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SA965-O,F(J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SA965-O,F(J Atributos do produto

    Número da peça : 2SA965-O,F(J
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de transistor : PNP
    Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 800mA
    Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 120V
    Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 1V @ 50mA, 500mA
    Corrente - corte de coletor (máx.) : 100nA (ICBO)
    Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 100mA, 5V
    Potência - Max : 900mW
    Freqüência - Transição : 120MHz
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 Long Body
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LSTM

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