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  5. APTM60A11FT1G

Microsemi Corporation - APTM60A11FT1G

KEY Part #: K6522631

APTM60A11FT1G Preços (USD) [2469pcs Estoque]

  • 1 pcs$17.54401
  • 100 pcs$17.32427
Número da peça:
APTM60A11FT1G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APTM60A11FT1G electronic components. APTM60A11FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM60A11FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM60A11FT1G Atributos do produto

Número da peça : APTM60A11FT1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 132 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10552pF @ 25V
Potência - Max : 390W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP1

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