SIHP12N60E-E3 Preços (USD) [30561pcs Estoque]
- 1 pcs$1.34854
- 1,000 pcs$0.58018
- Número da peça:
- SIHP12N60E-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHP12N60E-E3 electronic components. SIHP12N60E-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP12N60E-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHP12N60E-E3 Atributos do produto
Número da peça :
SIHP12N60E-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
937pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
147W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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