IXYS - IXFX44N80Q3

KEY Part #: K6394908

IXFX44N80Q3 Preços (USD) [3757pcs Estoque]

  • 1 pcs$13.32649
  • 60 pcs$13.26019

Número da peça:
IXFX44N80Q3
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX44N80Q3 Atributos do produto

Número da peça : IXFX44N80Q3
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 44A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 185nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9840pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PLUS247™-3
Pacote / caso : TO-247-3