Infineon Technologies - IRF8910GTRPBF

KEY Part #: K6524122

[3937pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRF8910GTRPBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies IRF8910GTRPBF electronic components. IRF8910GTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8910GTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF8910GTRPBF Atributos do produto

    Número da peça : IRF8910GTRPBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
    Series : HEXFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.4 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.55V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 960pF @ 10V
    Potência - Max : 2W
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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