Toshiba Semiconductor and Storage - TK18A50D(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6417502

TK18A50D(STA4,Q,M) Preços (USD) [32882pcs Estoque]

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  • 50 pcs$1.37869

Número da peça:
TK18A50D(STA4,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK18A50D(STA4,Q,M) Atributos do produto

Número da peça : TK18A50D(STA4,Q,M)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS
Series : π-MOSVII
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 50W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220SIS
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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