BSZ0910NDXTMA1 Preços (USD) [171885pcs Estoque]
- 1 pcs$0.21519
- Número da peça:
- BSZ0910NDXTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- DIFFERENTIATED MOSFETS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1 electronic components. BSZ0910NDXTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ0910NDXTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSZ0910NDXTMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSZ0910NDXTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
DIFFERENTIATED MOSFETS
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 15V
Potência - Max :
1.9W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-WISON-8
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