IXFP3N50PM Preços (USD) [68164pcs Estoque]
- 1 pcs$0.63415
- 50 pcs$0.63100
- Número da peça:
- IXFP3N50PM
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFP3N50PM electronic components. IXFP3N50PM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP3N50PM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFP3N50PM Atributos do produto
Número da peça :
IXFP3N50PM
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
Series :
HiPerFET™, PolarHT™
Status da Peça :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
409pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
36W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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