Diodes Incorporated - DMG4468LK3-13

KEY Part #: K6395077

DMG4468LK3-13 Preços (USD) [392747pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09418
  • 2,500 pcs$0.08429

Número da peça:
DMG4468LK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Diodes Incorporated DMG4468LK3-13 electronic components. DMG4468LK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4468LK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4468LK3-13 Atributos do produto

Número da peça : DMG4468LK3-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.95V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18.85nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 867pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.68W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252-3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63