[843pcs Estoque]
- Número da peça:
- SIB414DK-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIB414DK-T1-GE3 electronic components. SIB414DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB414DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIB414DK-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIB414DK-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14.03nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
732pF @ 4V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-75-6L
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