Infineon Technologies - IPDD60R050G7XTMA1

KEY Part #: K6401263

IPDD60R050G7XTMA1 Preços (USD) [16371pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.51737

Número da peça:
IPDD60R050G7XTMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPDD60R050G7XTMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPDD60R050G7XTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
Series : CoolMOS™ G7
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 800µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2670pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 278W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-HDSOP-10-1
Pacote / caso : 10-PowerSOP Module

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