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Microsemi Corporation - 1N6663US

KEY Part #: K6427629

1N6663US Preços (USD) [4091pcs Estoque]

  • 1 pcs$11.02191
  • 10 pcs$10.19677
  • 25 pcs$9.36978
  • 100 pcs$8.70842
  • 250 pcs$7.60204
Número da peça:
1N6663US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation 1N6663US electronic components. 1N6663US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6663US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6663US Atributos do produto

Número da peça : 1N6663US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 500mA (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 400mA
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 50nA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, A
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5A
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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