ON Semiconductor - HGTG30N60C3D

KEY Part #: K6423039

HGTG30N60C3D Preços (USD) [11602pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.84957
  • 100 pcs$2.35933
  • 500 pcs$2.05446
  • 1,000 pcs$1.78937

Número da peça:
HGTG30N60C3D
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 600V 63A 208W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTG30N60C3D Atributos do produto

Número da peça : HGTG30N60C3D
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 600V 63A 208W TO247
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 63A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 252A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.8V @ 15V, 30A
Potência - Max : 208W
Energia de comutação : 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 162nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : -
Condição de teste : -
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 60ns
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247

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