Microsemi Corporation - APT50M65B2FLLG

KEY Part #: K6395400

APT50M65B2FLLG Preços (USD) [4008pcs Estoque]

  • 1 pcs$13.98239
  • 10 pcs$12.93441

Número da peça:
APT50M65B2FLLG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50M65B2FLLG Atributos do produto

Número da peça : APT50M65B2FLLG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
Series : POWER MOS 7®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 67A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 141nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7010pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 694W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : T-MAX™ [B2]
Pacote / caso : TO-247-3 Variant

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