ON Semiconductor - FGA30T65SHD

KEY Part #: K6422912

FGA30T65SHD Preços (USD) [34886pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.18726
  • 450 pcs$1.18136

Número da peça:
FGA30T65SHD
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 650V 60A 238W TO-3PN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA30T65SHD Atributos do produto

Número da peça : FGA30T65SHD
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 90A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 30A
Potência - Max : 238W
Energia de comutação : 598µJ (on), 167µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 54.7nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 14.4ns/52.8ns
Condição de teste : 400V, 30A, 6 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 31.8ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PN

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