Toshiba Semiconductor and Storage - TP86R203NL,LQ

KEY Part #: K6420862

TP86R203NL,LQ Preços (USD) [274457pcs Estoque]

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  • 2,500 pcs$0.14824

Número da peça:
TP86R203NL,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 30V 19A 8SOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP86R203NL,LQ Atributos do produto

Número da peça : TP86R203NL,LQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N CH 30V 19A 8SOP
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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