Infineon Technologies - IRFI4229PBF

KEY Part #: K6404148

IRFI4229PBF Preços (USD) [25621pcs Estoque]

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  • 10 pcs$1.37675
  • 100 pcs$1.07113
  • 500 pcs$0.86736
  • 1,000 pcs$0.73150

Número da peça:
IRFI4229PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFI4229PBF Atributos do produto

Número da peça : IRFI4229PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4480pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 46W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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