[12855pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFSL9N60ATRL
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFSL9N60ATRL electronic components. IRFSL9N60ATRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL9N60ATRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFSL9N60ATRL Atributos do produto
Número da peça :
IRFSL9N60ATRL
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
170W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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