Diodes Incorporated - DMG3401LSN-7

KEY Part #: K6394727

DMG3401LSN-7 Preços (USD) [879621pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04205
  • 3,000 pcs$0.03698

Número da peça:
DMG3401LSN-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 3A SC59.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG3401LSN-7 Atributos do produto

Número da peça : DMG3401LSN-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25.1nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1326pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 800mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-59
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3