IXYS - IXTP3N50D2

KEY Part #: K6397218

IXTP3N50D2 Preços (USD) [32137pcs Estoque]

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  • 10 pcs$1.27583
  • 100 pcs$0.97271
  • 500 pcs$0.75655
  • 1,000 pcs$0.62686

Número da peça:
IXTP3N50D2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP3N50D2 Atributos do produto

Número da peça : IXTP3N50D2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1070pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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