[2632pcs Estoque]
- Número da peça:
- GP2M009A090NG
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP2M009A090NG electronic components. GP2M009A090NG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP2M009A090NG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP2M009A090NG Atributos do produto
Número da peça :
GP2M009A090NG
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2740pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
312W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3PN
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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