Vishay Siliconix - SIRC10DP-T1-GE3

KEY Part #: K6405379

SIRC10DP-T1-GE3 Preços (USD) [240506pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.15379

Número da peça:
SIRC10DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRC10DP-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SIRC10DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Series : TrenchFET® Gen IV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (máx.) : +20V, -16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1873pF @ 15V
Recurso FET : Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.) : 43W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8
Pacote / caso : PowerPAK® SO-8

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