IRF7902TRPBF Preços (USD) [183995pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20102
- 4,000 pcs$0.17176
- Número da peça:
- IRF7902TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7902TRPBF electronic components. IRF7902TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7902TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7902TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF7902TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.4A, 9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.25V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.9nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
580pF @ 15V
Potência - Max :
1.4W, 2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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