FZ2400R12HE4B9HOSA2 Preços (USD) [89pcs Estoque]
- 1 pcs$396.58661
- Número da peça:
- FZ2400R12HE4B9HOSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MODULE IGBT IHMB190-2.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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FZ2400R12HE4B9HOSA2 Atributos do produto
Número da peça :
FZ2400R12HE4B9HOSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MODULE IGBT IHMB190-2
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuração :
Single Switch
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
3560A
Potência - Max :
13500W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 2400A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
150nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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