Vishay Siliconix - SQJQ906E-T1_GE3

KEY Part #: K6522881

SQJQ906E-T1_GE3 Preços (USD) [74376pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.52571

Número da peça:
SQJQ906E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJQ906E-T1_GE3 Atributos do produto

Número da peça : SQJQ906E-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3600pF @ 20V
Potência - Max : 50W
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : PowerPAK® 8 x 8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 8 x 8 Dual

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