Nexperia USA Inc. - BST82,235

KEY Part #: K6421565

BST82,235 Preços (USD) [831966pcs Estoque]

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Número da peça:
BST82,235
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BST82,235 Atributos do produto

Número da peça : BST82,235
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 190mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 830mW (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236AB
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3