STMicroelectronics - STD11N50M2

KEY Part #: K6419445

STD11N50M2 Preços (USD) [112458pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.33054
  • 2,500 pcs$0.32890

Número da peça:
STD11N50M2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD11N50M2 Atributos do produto

Número da peça : STD11N50M2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Series : MDmesh™ II Plus
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 395pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 85W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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