IRF634B-FP001 Preços (USD) [190071pcs Estoque]
- 1 pcs$0.19460
- Número da peça:
- IRF634B-FP001
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor IRF634B-FP001 electronic components. IRF634B-FP001 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF634B-FP001, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF634B-FP001 Atributos do produto
Número da peça :
IRF634B-FP001
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 4.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
74W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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