Infineon Technologies - BSC019N04LSATMA1

KEY Part #: K6419675

BSC019N04LSATMA1 Preços (USD) [124569pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.29692
  • 5,000 pcs$0.28504

Número da peça:
BSC019N04LSATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies BSC019N04LSATMA1 electronic components. BSC019N04LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC019N04LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC019N04LSATMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSC019N04LSATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Você também pode estar interessado em