Vishay Siliconix - SIHG73N60E-E3

KEY Part #: K6415154

SIHG73N60E-E3 Preços (USD) [10214pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.05491
  • 500 pcs$4.03474

Número da peça:
SIHG73N60E-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG73N60E-E3 Atributos do produto

Número da peça : SIHG73N60E-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 73A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 362nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7700pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 520W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AC
Pacote / caso : TO-247-3

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