NP100P04PDG-E1-AY Preços (USD) [1573pcs Estoque]
- 800 pcs$1.33215
- Número da peça:
- NP100P04PDG-E1-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 40V 100A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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NP100P04PDG-E1-AY Atributos do produto
Número da peça :
NP100P04PDG-E1-AY
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
320nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
15100pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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