IRF9910TRPBF Preços (USD) [174721pcs Estoque]
- 1 pcs$0.21170
- 4,000 pcs$0.20099
- Número da peça:
- IRF9910TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF9910TRPBF electronic components. IRF9910TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9910TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF9910TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF9910TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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