[4062pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFH4255DTRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH4255DTRPBF electronic components. IRFH4255DTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH4255DTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH4255DTRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH4255DTRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
64A, 105A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 35µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1314pF @ 13V
Potência - Max :
31W, 38W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PQFN (5x6)
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