[1988pcs Estoque]
- Número da peça:
- RP1L055SNTR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RP1L055SNTR electronic components. RP1L055SNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RP1L055SNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RP1L055SNTR Atributos do produto
Número da peça :
RP1L055SNTR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
49 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
730pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
MPT6
Pacote / caso :
6-SMD, Flat Leads
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