[840pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI7882DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7882DP-T1-GE3 electronic components. SI7882DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7882DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7882DP-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI7882DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.9W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8
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