BSM180D12P2C101 Preços (USD) [224pcs Estoque]
- 1 pcs$216.26708
- 10 pcs$208.25769
- Número da peça:
- BSM180D12P2C101
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101 electronic components. BSM180D12P2C101 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM180D12P2C101, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM180D12P2C101 Atributos do produto
Número da peça :
BSM180D12P2C101
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
23000pF @ 10V
Potência - Max :
1130W
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
-
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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