Vishay Siliconix - SI8473EDB-T1-E1

KEY Part #: K6406374

SI8473EDB-T1-E1 Preços (USD) [1341pcs Estoque]

  • 3,000 pcs$0.10093

Número da peça:
SI8473EDB-T1-E1
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8473EDB-T1-E1 Atributos do produto

Número da peça : SI8473EDB-T1-E1
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-Microfoot
Pacote / caso : 4-XFBGA, CSPBGA

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