IPD033N06NATMA1 Preços (USD) [111859pcs Estoque]
- 1 pcs$0.33066
- 2,500 pcs$0.30335
- Número da peça:
- IPD033N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPD033N06NATMA1 electronic components. IPD033N06NATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD033N06NATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD033N06NATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPD033N06NATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.3V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3400pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
107W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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