FGA50N100BNTD2 Preços (USD) [11002pcs Estoque]
- 1 pcs$3.74595
- 10 pcs$3.38414
- 100 pcs$2.80188
- Número da peça:
- FGA50N100BNTD2
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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FGA50N100BNTD2 Atributos do produto
Número da peça :
FGA50N100BNTD2
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
NPT and Trench
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1000V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
50A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
200A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.9V @ 15V, 60A
Potência - Max :
156W
Energia de comutação :
-
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
257nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
34ns/243ns
Condição de teste :
600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
75ns
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P
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