SQS407ENW-T1_GE3 Preços (USD) [208654pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17727
- Número da peça:
- SQS407ENW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQS407ENW-T1_GE3 electronic components. SQS407ENW-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQS407ENW-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQS407ENW-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQS407ENW-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4572pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
62.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8W
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8W
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